Технологии получения ультратонких пленок феррита висмута для устройств энергонезависимой памяти

Read More

Технологии получения ультратонких пленок феррита висмута для устройств энергонезависимой памяти

Область применения
Разработанная продукция является одним из важнейших шагов на пути к реализации электронных устройств в области спинторники. Такие устройства позволяют получать энергонезависимый доступ к управлению информацией, хранению данных .  Развитие спинтроники раскрывает перспективы создания сенсоров магнитного поля, а также считывающих головок для жестких дисков с повышенной плотностью записи информации, а также нового поколения магнитной памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory).

Технические характеристики

Отличительной особенностью, разработанной нами технологии, является использование сапфировых подложек с микро- и нанорельефом. Кроме того, обычно получают пленки в одном цикле непосредственно стехиометрии BiFeO3 из металлорганических соединений Bi и Fe. В отличие от них, мы используем циклы послойного осаждения оксида железа и оксида висмута, а далее путем отжига формируем фазу феррита висмута высокого совершенства.

Преимущества
Преимущества метода особенно заметны там, где комбинация точности учета числа атомных слоев одновременно с легким контролем летучих компонентов, масштабируемостью, ценой и универсальностью конформного осаждения, связанного с процессом ограничения скорости реакции на поверхности подложки, являются важными факторами.

Используемый метод атомно-слоевого осаждения легко и быстро реализуется, низкоэнергозатратный и позволяет получать пленки BiFeO3 с улучшенными по сравнению с керамикой магнитоэлектрическими свойствами.